第三代半导体
第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主，更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，有消息称，中国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中，计划在2021到2025年的五年之内，举全国之力，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持，以期实现产业独立自主。
第三代半导体特性以及发展
第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频率、高效率、高功率、耐高压、耐高温、高导热等优越性能，是新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料。
通过大力发展第三代半导体，尤其是目前大量应用的碳化硅和氮化镓，以及探索新一代半导体材料，对支撑碳达峰、碳中和意义重大。
在“双碳”目标实现的过程中，我国的各个行业都赋予了新的活力，并兴起了新的商业模式。在“双碳”的背景下，产业结构将面临深刻的低碳转型挑战，能源技术将会引领能源产业变革，实现创新驱动发展。
大数据、区块链、人工智能等新技术的快速使用，带动了数字经济的高速发展，使得半导体行业更要朝着高性能、低功耗的目标发展，从而带动消费电子、医疗电子、电力电子、国防装备电子的更新换代和产业升级。
与前两代半导体材料相比不同的是，第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表，其次有着较宽的禁带宽度，也保证了其更高的可击穿电场强度，很适合制造耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G基站、卫星、电力电子和航空航天等新兴领域的理想材料。
第三代半导体属于后摩尔定律概念，制程和设备要求相对不高，难点在于第三代半导体材料的制备，同时在设计上没有优势。
目前电网在新能源发电以及输变电环节的电力电子设备中所使用的基本都还是硅基器件，而硅基器件的参数性能已接近其材料的物理极限，因而无法担负起支撑大规模清洁能源生产传输和消纳吸收的重任。
自从我国“双碳”目标的落地依赖电力系统的改革之后，第三代半导体功率芯片和器件的固有特性，决定了其在实现光伏、风力等新能源发电、直流特高压输电、新能源汽车等电动化交通、工业电源、民用家电等领域的电能高效转换优势。
而碳化硅材料支撑的功率半导体器件、以其高压高频高温高速的优良特性，能够大幅提升支撑清洁能源为主体的新型电力系统建设运行所需各类电力电子设备的能量密度，降低成本造假，增加可靠性和适用性，提高电能转换效率。
我国多年以来只是在小范围得以应用，其制造工艺难度高、制造成本高以及制造设备较为昂贵，无法挑战Si基半导体的统治地位。但是随着“双碳”战略定位和产品升级的需要，低功耗，高效率、高性能的电子器件必定大有可为，而第三代半导体的最大的特点就是低功耗、高效率、高性能，相信在未来的一段时间里将会是三代半导体的快速发展期。
